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铠侠开始送样第九代BiCS FLASH 3D闪存，采用230层阵列技术
根据公开资料，KIOXIA（铠侠）宣布开始出货其第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb三层单元（TLC）存储器件样品。此次送样的产品采用了230层存储阵列。该第九代BiCS FLASH旨在支持对中低容量存储有高性能和卓越能效要求的应用，而后续的第十代产品则计划提升至332层以满足大容量需求。
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根据公开资料，KIOXIA（铠侠）宣布开始出货其第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb三层单元（TLC）存储器件样品。此次送样的产品采用了230层存储阵列。该第九代BiCS FLASH旨在支持对中低容量存储有高性能和卓越能效要求的应用，而后续的第十代产品则计划提升至332层以满足大容量需求。
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